IR의 혁신적인 GaN 기반 기술 플랫폼인 GaNpowIR™ 활용
전력관리 기술 분야의 세계적인 선도업체인 인터내셔날 렉티파이어(IR)는 IR의 혁신적인 질화갈륨(GaN, Gallium Nitride) 기반 전력 디바이스 기술 플랫폼을 활용한 업계 최초의 상용 통합 전력단 제품군을 출시했다. iP2010 및 iP2011 제품군의 디바이스들은 서버, 라우터, 스위치, 범용 POL DC-DC 컨버터 등을 포함한 다중위상 및 POL(point-of-load) 애플리케이션을 위해 설계되었다.
iP2010 및 iP2011은 멀티-스위치 모노리식 GaN 기반 전력 디바이스에 상응하는 최첨단 초고속 PowIRtuneTM 드라이버 IC를 통합했다. 이 디바이스들은 플립 칩 패키지 플랫폼에 실장되어 보다 높은 효율을 보이며, 첨단 실리콘 기반 통합 전력단 디바이스가 제공하는 것보다 2배 이상 높은 스위칭 주파수를 제공할 수 있다.
IR의 아시아 영업 담당 부사장인 데이빗 푼(David Poon)은 “DC-DC 애플리케이션을 위한 이러한 GaN 기반 전력 디바이스 제품군을 출시함으로써 고주파수, 고집적도, 고효율 전력변환 솔루션 분야에 대해 새로운 시대를 열게 되었으며, 혁신적인 전력관리 설계 분야의 개척자로서 IR의 위치를 다시 한번 확인시켰다”고 말했다.
POL 제품 담당 부장인 존 램버트(John Lambert)는 “최대 5MHz까지의 스위칭 성능을 통해 iP201x 제품군은 설계자들이 공간이 가장 중요한 출력 커패시터와 인덕터의 가격과 크기를 극적으로 줄일 수 있도록 지원한다. 디바이스는 또한 최고 효율을 필요로 하는 애플리케이션을 위해 상대적으로 낮은 스위칭 주파수에서 동작하도록 구성될 수도 있다”고 덧붙였다.
iP2010은 7V에서 13.2V까지의 입력 전압 범위, 그리고 최대 30A의 출력 전류를 제공하는 0.6V에서 5.5V까지의 출력 전압 범위를 특징으로 한다. 디바이스는 최대 3MHz까지 동작한다. 핀 호환이 가능한 iP2011은 최대 5MHz까지 동작하며, 동일한 입력 및 출력 범위를 제공하지만, 최대 20A까지의 출력 전류에 대해 최적화되었다. 동일한 풋프린트로 다중 전류 정격 디바이스들을 제공함으로써 IR은 전류 수준, 성능, 비용 등과 관련된 다양한 고객 요건들을 충족시킬 수 있는 유연성을 제공한다.
두 디바이스 모두 소형 풋프린트를 제공하는 LGA 패키지로 제공되며, 매우 낮은 전력 손실을 위해 최적화되다. 또한 매우 효율적인 양면 냉각 기능을 제공하며, RoHS를 준수하고 있다.
<스펙>
|
Part Number |
Package |
Vin Range
(V) |
Vout Range (V) |
Iout Max
(A) |
Sw Freq
Range
(kHz) |
|
iP2010TRPBF |
7.7 x 6.5mm LGA |
7 – 13.2 |
0.6 – 5.5 |
30 |
250 – 3,000 |
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Part Number |
Package |
Vin Range
(V) |
Vout Range (V) |
Iout Max
(A) |
Sw Freq
Range
(kHz) |
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iP2010TRPBF |
7.7 x 6.5mm LGA |
7 – 13.2 |
0.6 – 5.5 |
30 |
250 – 3,000 |
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기자 : 뉴스관리자 기자 
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